配资平台新闻 国产超算、高端存储 全球登顶

　　据国家超级计算深圳中心信息，6月23日，德国汉堡ISC 2026大会发布全球超算TOP500榜单：全国产自主研制的“灵晟”超级计算机以2.19EFlops（每秒10的18次方浮点运算）持续双精度浮点性能登顶全球超算TOP500。这是中国超算时隔九年再攀巅峰，开创超算领域新纪元。

　　上一次，中国超算占据TOP500榜首，是2017年的“神威·太湖之光”。

　　6月24日，同样是在ISC 2026高性能计算大会上，国产ParaStor F9000分布式全闪存储系统同时登顶IO500生产型全节点和10节点榜单，拿下双料第一。据了解，该系统由中科曙光自主研发设计，在硬件和软件层面均构建了全栈国产化的核心技术闭环。

纯国产CPU路线优势显著

　　国家超级计算深圳中心介绍，“灵晟”是世界首台持续性能超二百亿亿次（2EFlops）的超算系统，创新超智融合Online Acceleration架构，全面领先美欧E级超算。

　　“灵晟”超算系统总设计师、国家超算深圳中心主任、中山大学教授卢宇彤在颁奖专题演讲中介绍，超算发展已迈入超智融合新阶段，“灵晟”系统首创Online Acceleration的全CPU架构，打破传统CPU-GPU异构架构壁垒，内嵌AI矩阵加速单元，回归计算加速的本质，实现超算智算等多种计算模式的高效协同。

　　图灵奖得主、美国两院院士Jack Dongarra教授盛赞道：“中国的‘灵晟’系统让世界看到了超算通向AI4Science新型系统架构的希望之光。”

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　　据介绍，自系统部署以来，“灵晟”已支撑大气海洋、工程仿真、材料科学、药物发现、脑科学、科学AI、大模型推理等多领域应用，支撑混合精度计算、工作流和复杂多任务并行运行，在大规模并行环境下平均扩展效率84.4%，实现超过千万核心的全系统高效可扩展运行。

国产HBM是最大亮点之一

　　记者注意到，“灵晟”登顶全球超算TOP500的背后亮点之一是：在芯片层，自研LX2 CPU创新性引入多精度与矩阵加速等能力，实现片上超算算力与智能算力深度融合，并集成了首颗国产HBM，内存带宽相比传统CPU提升10倍。

　　HBM即高带宽存储器，是超微半导体和SK海力士发起的一种基于2.5/3D先进封装工艺的高性能DRAM，将多个DRAM芯片像多层建筑一样垂直堆叠，再与GPU封装在一起，实现大容量、高带宽的DDR组合阵列。

　　“灵晟”集成了首颗国产HBM（高带宽存储器），意味着中国半导体产业又攻克了一项技术短板。

　　当前国产CPU形成了X86、ARM、自主指令集三大技术路线，产品基本上可以做到覆盖全场景、适配国内市场需求。X86技术路线上主要有海光信息、兆芯集成等公司；ARM技术路线上则有华为鲲鹏、天津飞腾等公司；发展自主指令集的公司有龙芯中科、申威等公司。

　　存储芯片方面，以“两长”（长鑫科技、长江存储）为代表的国产存储器芯片，实现了长足的发展。公开资料显示，国产HBM3已在样品验证阶段，3D NAND已推进至294层，与全球先进的差距在不断缩小。

产业链公司进展多

　　作为一项封装工艺，HBM的核心是2.5/3D堆叠技术，其通过TSV硅通孔、微凸块和键合工艺等实现多层芯片垂直互联。近期，多家上市公司披露了上述相关技术的进展。

阿里·哈梅内伊，1939年出生于伊朗马什哈德。1981年至1989年担任伊朗总统，自1989年起担任伊朗最高领袖。哈梅内伊在1981年6月遭受针对性的暗杀，导致他的右臂瘫痪。

　　在2.5D/3D先进封装方面，盛合晶微、长电科技、通富微电、华天科技都取得了长足的进展。

　　比如，长电科技在一季度业绩说明会上披露，公司2.5D产品加速量产导入，客户需求持续强劲，与之匹配高密度存储及高密度电源管理模块需求自二季度起特别是下半年迎来爆发式增长，与主流封装厂商趋势研判一致。

　　当前，先进封装厂商大幅扩产，利好电镀设备、键合设备等半导体设备厂商，以及前驱体、电镀液等半导体材料厂商。

　　盛美上海在近日接受机构调研时表示，公司电镀设备业务将迎来显著增量，在2026年至今的新签订单中，电镀设备占比约30%。公司介绍，3D封装会大规模应用电镀设备，头部封测企业后续集中采购规模可达数百台，头部晶圆代工厂年采购量也有一百多台，行业整体规模可观。公司首台PECVD SiCN设备已经顺利出机，该设备旨在支持55纳米及以下高端IC工艺的后段金属互联工艺应用中的PECVD NDC（SiCN）工艺，应用场景包括铜氧化抑制、铜扩散阻挡层及刻蚀停止层。

　　帝尔激光披露，公司TGV激光微孔设备主要面向玻璃基板精密通孔加工，目前已实现晶圆级、面板级设备交付，整体布局半导体先进封装、新型显示相关领域。

　　华工科技披露，公司TGV玻璃通孔激光加工智能装备已完成整机定型，核心部件（激光器、振镜、控制系统）实现100%国产化，并已成功完成初步中试验证。

　　多家半导体材料厂商也于近期披露了在先进封装方面的进展。

　　雅克科技披露，先进存储扩产以及先进存储技术的引入、渗透率提升，一直是前驱体市场成长、价值量增加的驱动力，公司伴随下游共同成长。目前，公司在国产化产线建设完成后已具备较大的产能储备，HBM成为公司业务增长的实际推动力。

　　艾森股份披露，公司的电镀液及光刻胶等核心产品可服务于HBM、CoWoS等先进封装技术，相关产品已实现量产并应用于头部封装厂。

　　飞凯材料披露，公司在半导体先进封装领域稳定量产的功能型湿电子化学品、锡球和EMC环氧塑封料，均可应用于HBM的制造工艺当中，但应用于HBM制造工艺的上述产品尚未形成规模化营收，对公司业绩影响较小。

中国存储首次登顶全球最严评测双榜

　　国产存储系统ParaStor F9000登顶IO500双榜，这是中国高端存储第一次在全球最严格的真实生产型评测体系中实现了系统性领先。

　　6月24日，在ISC 2026高性能计算大会上，国产ParaStor F9000分布式全闪存储系统同时登顶IO500生产型全节点和10节点榜单，拿下双料第一。据了解，该系统由中科曙光自主研发设计，在硬件和软件层面均构建了全栈国产化的核心技术闭环。

　　中科曙光北京公司副总裁何振表示，国产高端存储在真实生产环境下的工程成熟度和规模化能力得到验证，在全球智能计算与高端计算基础设施体系中已具备进入核心竞争层的能力。

　　“这正是拓展国际市场的关键切入点，即用真实可验证的工程化能力，去参与全球新一代AI基础设施竞争。”何振说。

　　业内人士接受上海证券报记者采访时表示，在不涉及HBM（高带宽存储器）的存储系统部件中，国产存储芯片能力已不逊于国外；然而，存储系统竞争力的关键是系统协同能力，而非单个部件。国产存储继续突破的关键在于真实生产环境中的持续验证，包括极端故障处理、长期运维和生态兼容。

　　这次登顶凭借的并非实验室数据。

　　实际部署上，自2025年国家超算互联网核心节点启动建设以来，ParaStor F9000已在万卡级算力平台中稳定运行超过一年，支撑大模型训练、科学计算等场景。在具体应用中，该系统联合龙讯旷腾MatPL软件，完成了414.7亿原子规模的液态水分子动力学模拟，刷新了此前290亿原子的世界纪录。

　　核心技术上，F9000采用RDMA零拷贝机制，结合自研XDS跨芯片直通加速引擎，让存储数据绕过CPU直接与GPU等算力芯片交互。中科曙光北京公司总裁助理、分布式存储产品部总经理石静介绍，在自动驾驶万卡集群实际应用中，该技术可将GPU利用率提升30%以上。

　　“这代表国产存储正在完成一个关键转变，过去更多是对标国际先进，现在开始在真实AI基础设施体系中参与竞争。”何振说。在他看来，未来存储系统的竞争焦点，将逐步从单一性能参数，转向系统在真实负载下的整体效率、长期稳定性与大规模扩展能力。

　　成本是落地真实场景的关键考量因素之一。

　　当前，存储市场正经历近15年来最陡峭的涨价周期。何振介绍，当前这轮存储涨价，本质上不是单一器件或单一环节的价格波动，而是AI算力需求爆发后，存储、网络、算力同步扩张带来的系统性成本上升。“客户考虑的是如何用同样的预算支撑更大的算力和数据规模。”他说。

　　从产业路径来看，以技术换效率、以效率降成本逐渐成为国产存储的差异化竞争方向。

　　何振表示，比如，ParaStor F9000的智能数据分层技术，通过软硬件协同减少硬件采购数量，可将总拥有成本降低40%，在AI基础设施进入规模化阶段后，单纯拼硬件规模和价格空间已经越来越有限，真正的竞争点是系统级优化能力。“谁能在同等算力需求下，用更少的资源、更高的利用率完成计算任务，谁就能在新一轮基础设施建设中获得优势。”

　　作者：李兴彩年悦张雪配资平台新闻